n-GaN/p-GaN/u-GaN Wafer

エピタキシャル成長法により作製したn-GaN、p-GaN、u-GaNを製造し、ご提供しております。
その他、pn-GaN・pin-GaN等のダイオード構造やInGaN・AlGaNなど、ご要望の構造にて製作可能です。詳しくは、こちらのページより担当者までお問合せください。

製品仕様

Epi wafer diameter	2 inch
Epi layer	GaN
Thickness of GaN epilayer	2-10
Structure of GaN epilayer	Wurtzite
Orientation of GaN layer	(0001)
Conductivity	N-type P-type undoped-type
Surface	as grown
Substrate	Sapphire
Substrate orientation	(0001) on-axis

*バッファ層はご指定いただけません。