TFT基板に一括転写（ダイボンド）したµUV LEDチップは、レーザーリストオフ（LLO）によってエピ成長基板のサファイア基板から剥がされます。この工程に於けるLLO成功率は100％近くに達しています。
µUV LEDチップの配列及び発光写真
画像：株式会社ブイ・テクノロジー提供
次に、基板へ転写したµUV LEDチップ上へ赤、緑、青色の蛍光体を塗布します。下記の写真では、ムラの無い発光が確認できます。蛍光体の変換効率は、40～90%です。
µUV LED+RGB色変換層による発光の様子
画像：株式会社ブイ・テクノロジー提供
